设备简介：该设备具有较高真空分辨率， 30KV高压下分辨率为3nm，3KV电压下分辨率为8nm；加速电压0.3KV-30KV连续可调，放大倍数X5~X300000，加载五轴马达驱动全对中样品台，导航系统可精确定位样品；配备二次电子探测器，背散射电子探测器，辅助电制冷能谱仪，采用SDD硅漂移晶体，晶体有效面积30mm²，能量分辨率MnKα优于127eV.用于各种材料表面微观形貌观察及微区成分的定性、定量分析。